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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV002T |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 200萬的CMOS（256K × 8）快閃記憶體（200萬的CMOS（256K × 8）位單5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 30/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 279K |
| 代理商： | MBM29LV002T |
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30
MBM29LV002T/MBM29LV002B
t
WS
t
GHEL
t
WH
t
WHWH1
t
WC
WE
OE
Addresses
Data
t
CP
t
CPH
t
AH
t
DS
t
DH
DQ
7
PD
A0H
D
OUT
CE
5555H
PA
PA
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
AS
Figure 8 Alternate CE Controlled Program Operation Timings
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3.
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.
DQ
7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MBM29LV004BC | 4M (512K X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MBM29LV002TC-12PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
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