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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV002T |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 200萬的CMOS（256K × 8）快閃記憶體（200萬的CMOS（256K × 8）位單5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 39/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 279K |
| 代理商： | MBM29LV002T |
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39
MBM29LV002T/MBM29LV002B
DQ
6
= Toggle
Yes
No
DQ
6
= Toggle
DQ
5
= 1
Yes
No
No
Yes
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Start
Fail
Pass
Figure 20 Toggle Bit Algorithm
Note:
DQ
6
is rechecked even if DQ
5
= “1” because DQ
6
may stop toggling at the same time as
DQ
5
changing to “1”.
VA = Address for programming
= Any of the sector addresses within
the sector not being erased during
sector erase or multiple sector
erases operation
= XXXXH during sector erase or
multiple sector erases operation
= Any of the sector addresses
within the sector not being
protected during sector erase or
multiple sector erases operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MBM29LV002B-12 | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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