- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377951 > MBM29LV200T-12 (Fujitsu Limited) CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV200T-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 200萬(wàn)的CMOS（256K × 8/128K × 16）位閃存（200萬(wàn)（256K × 8/128K × 16）位單5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | MBM29LV200T-12 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)當(dāng)前第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)
27
MBM29LV200T
-10/-12
/MBM29LV200B
-10/-12
Write/Erase/Program Operations
Alternate WE Controlled Writes
Notes:
1. This does not include the preprogramming time.
2. These timings are for Sector Protection operation.
Parameter Symbols
Description
-10
-12
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
100
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
50
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
ns
—
t
OEH
Output
Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min.
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
50
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
30
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
8
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
1
sec
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
50
μ
s
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
4
μ
s
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
100
μ
s
—
t
OESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
μ
s
—
t
CSP
CE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
μ
s
—
t
RB
Recover Time From RY/BY
Min.
0
0
ns
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
ns
—
t
RH
RESET Hold Time Before Read
Min.
500
500
ns
—
t
FLQZ
BYTE Switching Low to Output High-Z
Max.
30
40
ns
—
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY Delay
Min.
90
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV200B-12 | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV200B | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV200T | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV320BE | Triacs - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V |
| MBM29LV320BE10TR | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV200TC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。