參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29LV200T-12
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 200萬(wàn)的CMOS（256K × 8/128K × 16）位閃存（200萬(wàn)（256K × 8/128K × 16）位單5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 29/50頁(yè)
文件大?。?/td> 469K
代理商： MBM29LV200T-12
29
MBM29LV200T
-10/-12
/MBM29LV200B
-10/-12
I
SWITCHING WAVEFORMS
Key to Switching Waveforms
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Must Be
Steady
May
Change
from H to L
May
Change
from L to H
“H” or “L”
Any Change
Permitted
Does Not
Apply
Will Be
Steady
Will Be
Changing
from H to L
Will Be
Changing
from L to H
Changing
State
Unknown
Center Line is
High-
Impedance
“Off” State
WE
OE
CE
t
ACC
t
DF
t
CE
t
OE
Outputs
t
RC
Addresses
Addresses Stable
High-Z
Output Valid
High-Z
t
DEH
Figure 5.1 AC Waveforms for Read Operations
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29LV200B-12 CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV200B 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV200T 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV320BE Triacs - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V
MBM29LV320BE10TR 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29LV200TC 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200TC-12 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200TC-12PFTN 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200TC-12PFTR 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200TC-70 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
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