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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV800B |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M ×8/512K ×16) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8/512K ×16位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 8米（1米× 8/512K × 16）位快閃記憶體（單5V的電源電壓100萬× 8/512K × 16位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 27/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 647K |
| 代理商： | MBM29LV800B |
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27
MBM29LV800T
-10/-12
/MBM29LV800B
-10/-12
I
MAXIMUM OVERSHOOT
+0.6 V
–0.5 V
20 ns
–2.0 V
20 ns
20 ns
Figure 1 Maximum Negative Overshoot Waveform
V
CC
+0.5 V
+2.0 V
V
CC
+2.0 V
20 ns
20 ns
20 ns
Figure 2 Maximum Positive Overshoot Waveform
+13.0 V
V
CC
+0.5 V
+14.0 V
20 ns
20 ns
20 ns
*: This waveform is applied for A
9
, OE, and RESET.
Figure 3 Maximum Positive Overshoot Waveform
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV800T | 8M (1M ×8/512K ×16) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8/512K ×16位閃速存儲器) |
| MBM29PDS322TE10PBT | Replaced by TPS2046B : 0.345A, 2.7-5.5V Dual (1In/2Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29PDS322TE10 | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322BE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322TE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV800BA | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800BA-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800BA-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800BA-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800BA-90PF# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
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