- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377953 > MBM29LV800B (Fujitsu Limited) 8M (1M ×8/512K ×16) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8/512K ×16位閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV800B |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M ×8/512K ×16) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8/512K ×16位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 8米（1米× 8/512K × 16）位快閃記憶體（單5V的電源電壓100萬× 8/512K × 16位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 38/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 647K |
| 代理商： | MBM29LV800B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁當前第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁
38
MBM29LV800T
-10/-12
/MBM29LV800B
-10/-12
The rising edge of the last WE signal
CE
RY/BY
WE
t
BUSY
Entire programming
or erase operations
Figure 11 RY/BY Timing Diagram during Program/Erase Operations
t
RP
RESET
t
READY
RY/BY
WE
t
BRB
Figure 12 RESET/RY/BY Timing Diagram
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV800T | 8M (1M ×8/512K ×16) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8/512K ×16位閃速存儲器) |
| MBM29PDS322TE10PBT | Replaced by TPS2046B : 0.345A, 2.7-5.5V Dual (1In/2Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29PDS322TE10 | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322BE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322TE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV800BA | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800BA-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800BA-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800BA-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800BA-90PF# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。