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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV800B |
| 廠(chǎng)商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M ×8/512K ×16) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8/512K ×16位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 8米（1米× 8/512K × 16）位快閃記憶體（單5V的電源電壓100萬(wàn)× 8/512K × 16位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 647K |
| 代理商： | MBM29LV800B |
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35
MBM29LV800T
-10/-12
/MBM29LV800B
-10/-12
t
CP
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
WE
OE
Addresses
Data
t
AS
t
CPH
t
DH
DQ
7
A0H
D
OUT
CE
5555H
PA
PA
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
WS
t
WH
t
GHEL
PD
Figure 7 Alternate CE Controlled Program Operation Timings
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3.
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
6. These waveforms are for the
×
16 mode. The addresses differ from
×
8 mode.
DQ
7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV800T | 8M (1M ×8/512K ×16) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8/512K ×16位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29PDS322TE10PBT | Replaced by TPS2046B : 0.345A, 2.7-5.5V Dual (1In/2Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29PDS322TE10 | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322BE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322TE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV800BA | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800BA-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800BA-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800BA-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800BA-90PF# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
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