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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29PDS322TE10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| 中文描述： | 32M的（2米× 16）位頁雙操作 |
| 文件頁數(shù)： | 38/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 694K |
| 代理商： | MBM29PDS322TE10 |
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MBM29PDS322TE/BE
10/11
38
Write/Erase/Program Operations
(Continued)
Parameter
Symbol
Value
Unit
10
11
JEDEC
Standard Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.
t
AS
0
Write Cycle Time
t
AVAV
t
WC
100
115
ns
Address Setup Time
t
AVWL
0
ns
Address Setup Time to OE Low During
Toggle Bit Polling
—
t
ASO
15
15
ns
Address Hold Time
t
WLAX
t
AH
60
60
ns
Address Hold Time from CE or OE High
During Toggle Bit Polling
—
t
AHT
0
0
ns
Data Setup Time
t
DVWH
t
DS
60
16
60
16
ns
Data Hold Time
t
WHDX
t
DH
0
0
ns
Output Enable
Hold Time
Read
—
t
OEH
0
0
ns
Toggle and Data Polling
10
10
ns
CE High During Toggle Bit Polling
—
t
CEPH
20
20
ns
OE High During Toggle Bit Polling
—
t
OEPH
20
20
ns
Read Recover Time Before Write
t
GHWL
t
GHWL
0
0
ns
Read Recover Time Before Write
t
GHEL
t
GHEL
0
0
ns
CE Setup Time
t
ELWL
t
CS
0
0
ns
WE Setup Time
t
WLEL
t
WS
0
0
ns
CE Hold Time
t
WHEH
t
CH
0
0
ns
WE Hold Time
t
EHWH
t
WH
0
0
ns
Write Pulse Width
t
WLWH
t
WP
60
60
ns
CE Pulse Width
t
ELEH
t
CP
60
60
ns
Write Pulse Width High
t
WHWL
t
WPH
60
60
ns
CE Pulse Width High
t
EHEL
t
CPH
60
50
60
50
ns
Programming Operation
t
WHWH1
t
WHWH1
μs
Sector Erase Operation *
1
t
WHWH2
t
WHWH2
1
1
s
V
CC
Setup Time
—
t
VCS
μs
Rise Time to V
ID
*
2
—
t
VIDR
500
500
ns
Rise Time to V
ACC
*
3
—
t
VACCR
500
500
ns
Voltage Transition Time *
2
—
t
VLHT
4
4
μs
Write Pulse Width *
2
—
t
WPP
100
100
μs
OE Setup Time to WE Active *
2
—
t
OESP
4
4
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29PDS322BE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322TE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322TE11 | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322TE11PBT | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322BE10 | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
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參數(shù)描述 |
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