參數(shù)資料
型號： MBM29PDS322TE11PBT
廠商： FUJITSU LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation
中文描述： 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 115 ns, PBGA63
封裝： PLASTIC, FBGA-63
文件頁數(shù)： 40/66頁
文件大?。?/td> 694K
代理商： MBM29PDS322TE11PBT
MBM29PDS322TE/BE
10/11
40
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
FBGA PIN CAPACITANCE
Note: Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
10
s
Excludes programming time
prior to erasure
Word Programming Time
—
16
360
μ
s
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
—
100
s
Excludes system-level
overhead
Program/Erase Cycle
100,000
—
—
cycle
—
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Typ.
Max.
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0
TBD
TBD
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0
TBD
TBD
pF
Control Pin Capacitance
C
IN2
V
IN
= 0
TBD
TBD
pF
WP/ACC Pin Capacitance
C
IN3
V
IN
= 0
TBD
TBD
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29PDS322BE10 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation
MBM29PDS322BE10PBT NEOZED TYPE,400V.10A
MBM29PDS322BE11 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation
MBM29PDS322BE11PBT 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation
MBM29PL160TD 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
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參數(shù)描述
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