參數(shù)資料
型號(hào)： MC33883
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： H-Bridge Gate Driver IC(H橋柵極驅(qū)動(dòng)器)
中文描述： H橋門(mén)驅(qū)動(dòng)器集成電路（高橋柵極驅(qū)動(dòng)器）
文件頁(yè)數(shù)： 13/20頁(yè)
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代理商： MC33883
MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA
33883
13
C
CP
C
CP
choice depends on power MOSFET characteristics and
the working switching frequency.
Figure 8
contains two
diagrams that depict the influence of C
CP
value on V
CP_OUT
average voltage level. The diagrams represent two different
frequencies for two power MOSFETs, MTP60N06HD and
MPT36N06V.
Figure 8. V
CP_OUT
Versus C
CP
The smaller the C
CP
value is, the smaller the V
CP_OUT
value
is. Moreover, for the same C
CP
value, when the switching
frequency increases, the average V
CP_OUT
level decreases. For
most of the applications, a typical value of 33 nF is
recommended.
C
CP_OUT
Figure 9
depicts the simplified C
CP_OUT
current and voltage
waveforms. f
PWM
is the working switching frequency.
Figure 9. Simplified C
CP_OUT
Current and Voltage
Waveforms
As shown above, at high-side MOSFET turn-on V
CP_OUT
voltage decreases. This decrease can be calculated according
to the C
CP_OUT
value as follows:
Where Q
g
is power MOSFET gate charge.
C
LR_OUT
C
LR_OUT
provides peak current needed by the low-side
MOSFET turn-on. V
LR_OUT
decrease is as follows:
Typical Values of Capacitors
In most working cases the following typical values are
recommended for a well-performing charge pump:
C
CP
= 33 nF, C
CP_OUT
= 470 nF, and C
LR_OUT
= 470 nF
These values give a typical 100 mV voltage ripple on V
CP_OUT
and V
LR_OUT
with Q
g
= 50 nC.
MTP60N06HD (Q
g
=50nC)
MTP60N06HD (Q
g
= 50 nC)
18.5
19
19.5
20
20.5
21
21.5
5
25
45
65
85
Ccp (nF)
C
20 kHz
100 kHz
18
18.5
19
19.5
20
20.5
21
5
25
45
65
85
Ccp (nF)
C
100 kHz
MTP60N06HD (Q
g
= 50 nC)
MTP36N06V (Q
g
= 40 nC)
V
C
V
C
20 kHz
Cp_out
V
CP_OUT
state
State
Oscillator
in low
state
f=330kHz
f
f
PWM
out
Ccp
V
CP_OUT
rage V
Cp_out
V
CP_OUT
Oscillator
High Side Turn On
I
CP_OUT
Peak Current
V
CP_OUT
=
C
CP_OUT
Q
g
V
LR_OUT
=
C
LR_OUT
Q
g
F
Freescale Semiconductor, Inc.
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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MC33883DWR2 功能描述:IC H-BRIDGE PRE-DRIVER 20-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
MC33883HEG 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC FULL BRIDGE GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
MC33883HEGR2 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC FULL BRIDGE GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
MC33884DW 功能描述:IC SWITCH SDI MONITOR 24-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 接口 - 專用 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 應(yīng)用:PDA，便攜式音頻/視頻，智能電話 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.65 V ~ 3.6 V 封裝/外殼:24-WQFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:24-QFN 裸露焊盤(pán)（4x4） 包裝:帶卷 (TR) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1015 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:296-25223-2
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