參數(shù)資料
型號(hào)： MC33883
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： H-Bridge Gate Driver IC(H橋柵極驅(qū)動(dòng)器)
中文描述： H橋門驅(qū)動(dòng)器集成電路（高橋柵極驅(qū)動(dòng)器）
文件頁(yè)數(shù)： 4/20頁(yè)
文件大小： 556K
代理商： MC33883
33883
4
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MAXIMUM RATINGS
All voltages are with respect to ground unless otherwise noted.
Rating
Symbol
Value
Unit
Supply Voltage 1
V
CC
-0.3 to 65
V
Supply Voltage 2 (Note 1)
V
CC2
-0.3 to 35
V
Linear Regulator Output Voltage
V
LR_OUT
-0.3 to 18
V
High-Side Floating Supply Absolute Voltage
V
CP_OUT
-0.3 to 65
V
High-Side Floating Source Voltage
V
SRC_HS
-1.0 to 65
V
High-Side Source Current from CP_OUT in Switch ON State
I
S
250
mA
High-Side Gate Voltage
V
GATE_HS
-0.3 to 65
V
High-Side Gate Source Voltage
V
GATE_HS
-
V
SRC_HS
-0.3 to 20
V
High-Side Floating Supply Gate Voltage
V
CP_OUT
-
V
GATE_HS
-0.3 to 65
V
Low-Side Gate Voltage
V
GATE_LS
-0.3 to 17
V
Wake-Up Voltage
V
G_EN
-0.3 to 35
V
Logic Input Voltage
V
IN
-0.3 to 10
V
Charge Pump Capacitor Voltage
V
C1
-0.3 to V
LR_OUT
V
Charge Pump Capacitor Voltage
V
C2
-0.3 to 65
V
ESD Voltage
Human Body Model on All Pins (V
CC
and V
CC2
as Two Power
Supplies) (Note 2)
Machine Model (Note 3)
V
ESD1
V
ESD2
±1500
±130
V
Power Dissipation and Thermal Characteristics
Maximum Power Dissipation @ 25°C
Thermal Resistance (Junction to Ambient)
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
P
D
R
θ
JA
T
J
T
STG
1.25
100
-40 to 150
-65 to 150
W
°C/W
°C
°C
Terminal Soldering Temperature (Note 4)
T
SOLDER
240
°C
Notes
1.
2.
3.
4.
V
CC2
can sustain load dump pulse of 40 V, 400 ms, 2.0
.
ESD1 testing is performed in accordance with the Human Body Model (C
ZAP
=100 pF, R
ZAP
=1500
).
ESD2 testing is performed in accordance with the Machine Model (C
ZAP
=200 pF, R
ZAP
=0
).
Terminal soldering temperature limit is for 10 second maximum duration. Not designed for immersion soldering. Exceeding these limits may
cause malfunction or permanent damage to the device.
F
Freescale Semiconductor, Inc.
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n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC33883DW 功能描述:IC H-BRIDGE PRE-DRIVER 20-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
MC33883DWR2 功能描述:IC H-BRIDGE PRE-DRIVER 20-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
MC33883HEG 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC FULL BRIDGE GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
MC33883HEGR2 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC FULL BRIDGE GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
MC33884DW 功能描述:IC SWITCH SDI MONITOR 24-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 專用 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 應(yīng)用:PDA，便攜式音頻/視頻，智能電話 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.65 V ~ 3.6 V 封裝/外殼:24-WQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:24-QFN 裸露焊盤（4x4） 包裝:帶卷 (TR) 安裝類型:表面貼裝 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1015 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:296-25223-2
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