參數(shù)資料
型號： MC908AS60ACFUE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 315/414頁
文件大小： 0K
描述： IC MCU 60K FLASH 8.4MHZ 64-QFP
標準包裝： 84
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8.4MHz
連通性： CAN，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 52
程序存儲器容量： 60KB（60K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 1K x 8
RAM 容量： 2K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 4.5 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 15x8b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 64-QFP
包裝： 托盤
產(chǎn)品目錄頁面： 726 (CN2011-ZH PDF)
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MC68HC908AS60 and MC68HC908AZ60
MC68HC908AZ60A MC68HC908AS60A MC68HC908AS60E Data Sheet, Rev. 6
382
Freescale Semiconductor
A.1.2.5 FLASH Block Protection
The FLASH block protect registers are now 8-bit registers in place of 4-bit protecting array ranges that
can be incremented by as little as 1 page (128 bytes) at a time as opposed to 8 Kbytes at a time on
previous MCUs. Users making use of the block protect feature must change their block protect register.
A further significant change is that high voltage (VHI) is no longer needed on the IRQ pin to program or
erase the FLASH block protect registers.
A.1.2.6 FLASH Endurance
The FLASH endurance is now specified as 10,000 write / erase cycles as opposed to less than 1000
before.
A.1.3 EEPROM
A.1.3.1 EEPROM Architecture
Like the FLASH, EEPROM-1 and EEPROM-2 are also made from a new NVM technology. However,
unlike the FLASH, the bit polarity remains the same i.e. programmed=0, erased=1. The architecture and
basic programming and erase operations are unchanged.
A.1.3.2 EEPROM Clock Source and Prescaler
The first major difference on the new EEPROM is that it requires a constant time base source to ensure
secure programming and erase operations. This is done by firstly selecting which clock source is going
to drive the EEDIVG clock divider input using a new bit 7 introduced onto the CONFIG-2 register $FE09.
Next the divide ratio from this source has to be set by programming an 11-bit time base pre-scalar into
bits spread over two new registers, EEDIVxH and EEDIVxL (where x=1 or 2 for EEPROM-1 or
EEPROM-2 arrays).
The EEDIVxH and EEDIVxL registers are volatile. However, they are loaded upon reset by the contents
of duplicate nonvolatile EEDIVxHNVR and EEDIVxLNVR registers much in the same way as the array
control registers (EEACRx) interact with the nonvolatile registers (EENVRx) for configuration control on
the existing revision. As a result of the new EEDIV clock described above bit 7 (EEBCLK) of the EEPROM
control registers (EECRx) is no longer used.
A.1.3.3 EEPROM AUTO Programming & Erasing
The second major change to the EEPROM is the inclusion in the EEPROM control registers (EECRx) of
an AUTO function using previously unused bit 1 of these registers.
The AUTO function enables the logic of the MCU to automatically use the optimum programming or
erasing time for the EEPROM. If using AUTO the user does not need to wait for the normal minimum
specified programming or erasing time. After setting the EEPGM bit as normal the user just has to poll
that bit again, waiting for the MCU to clear it indicating that programming or erasing is complete.
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MC908AS60AMFUE 功能描述:8位微控制器 -MCU 64K FLASH W/2K EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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