參數(shù)資料
型號： MC908KX8CDWE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 104/210頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 8MHZ 8K FLASH 16-SOIC
標準包裝： 47
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： SCI
外圍設備： LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 13
程序存儲器容量： 8KB（8K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 192 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 4x8b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 725 (CN2011-ZH PDF)
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Electrical Specifications
MC68HC908KX8 MC68HC908KX2 MC68HC08KX8 Data Sheet, Rev. 2.1
192
Freescale Semiconductor
17.11 Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
RAM data retention voltage
VRDR
1.3
—
V
FLASH program bus clock frequency
—
1
—
MHz
FLASH read bus clock frequency
fRead
(1)
1. fRead is defined as the frequency range for which the FLASH memory can be read.
0—
8 M
Hz
FLASH page erase time
<1 K cycles
>1 K cycles
tErase
0.9
3.6
1
4
1.1
5.5
ms
FLASH mass erase time
tMErase
4—
—
ms
FLASH PGM/ERASE to HVEN setup time
tNVS
10
—
s
FLASH high-voltage hold time
tNVH
5—
—
s
FLASH high-voltage hold time (mass erase)
tNVHL
100
—
s
FLASH program hold time
tPGS
5—
—
s
FLASH program time
tPROG
30
—
40
s
FLASH return to read time
tRCV
(2)
2. tRCV is defined as the time it needs before the FLASH can be read after turning off the high voltage charge pump, by clear-
ing HVEN to 0.
1—
—
s
FLASH cumulative program HV period
tHV
(3)
3. tHV is defined as the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase.
tHV must satisfy this condition: tNVS + tNVH + tPGS + (tPROG x 64) ≤ tHV maximum.
——
4
ms
FLASH endurance(4)
4. Typical endurance was evaluated for this product family. For additional information on how Freescale defines Typical En-
durance, please refer to Engineering Bulletin EB619.
—
10 k
100 k
—
Cycles
FLASH data retention time(5)
5. Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and de-rated
to 25°C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale defines Typical Data Retention, please
refer to Engineering Bulletin EB618.
—
15
100
—
Years
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MC908KX8CPE 功能描述:IC MCU 8MHZ 8K FLASH 16-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285
MC908KX8MDWE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU W/8K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC908KX8MDWE 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:Microcontroller
MC908KX8MDWER2 功能描述:IC MCU 8K FLASH 4/8MHZ 16-SOICW RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285
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