參數(shù)資料
型號(hào)： MC908KX8CDWE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 137/210頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 8MHZ 8K FLASH 16-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 47
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： SCI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 13
程序存儲(chǔ)器容量： 8KB（8K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 192 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 4x8b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 725 (CN2011-ZH PDF)
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Memory
MC68HC908KX8 MC68HC908KX2 MC68HC08KX8 Data Sheet, Rev. 2.1
32
Freescale Semiconductor
HVEN — High-Voltage Enable Bit
This read/write bit enables the charge pump to drive high voltages for program and erase operations
in the array. HVEN can be set only if either PGM = 1 or ERASE = 1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
Setting this read/write bit configures the 8-Kbyte FLASH array for mass erase operation.
1 = MASS erase operation selected
0 = MASS erase operation unselected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is interlocked with the PGM bit
such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is interlocked with the ERASE
bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation unselected
2.7 FLASH Page Erase Operation
Use this step-by-step procedure to erase a page (64 bytes) of FLASH memory to read as 1:
1.
Set the ERASE bit and clear the MASS bit in the FLASH control register.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH location within the address range of the block to be erased.
4.
Wait for a time, tNVS (minimum 10 s).
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time, tErase (minimum 1 ms or 4 ms).
7.
Clear the ERASE bit.
8.
Wait for a time, tNVH (minimum 5 s).
9.
Clear the HVEN bit.
10.
After time, tRCV (typical 1 s), the memory can be accessed in read mode again.
NOTE
While these operations must be performed in the order shown, other
unrelated operations may occur between the steps.
In applications that require more than 1000 program/erase cycles, use the 4 ms page erase specification
to get improved long-term reliability. Any application can use this 4 ms page erase specification. However,
in applications where a FLASH location will be erased and reprogrammed less than 1000 times, and
speed is important, use the 1 ms page erase specification to get a shorter cycle time.
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MC908KX8CPE 功能描述:IC MCU 8MHZ 8K FLASH 16-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285
MC908KX8MDWE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU W/8K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC908KX8MDWE 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:Microcontroller
MC908KX8MDWER2 功能描述:IC MCU 8K FLASH 4/8MHZ 16-SOICW RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285
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