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參數(shù)資料
| 型號： | MC9S08GT32CFD |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 233/290頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 8BIT 32K FLASH 48-QFN |
| 標準包裝： | 260 |
| 系列： | S08 |
| 核心處理器： | S08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 連通性： | I²C，SCI，SPI |
| 外圍設備： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 39 |
| 程序存儲器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 數(shù)據(jù)轉換器： | A/D 8x10b |
| 振蕩器型： | 內部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 48-VFQFN 裸露焊盤 |
| 包裝： | 托盤 |
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FLASH
MC9S08GB/GT Data Sheet, Rev. 2.3
Freescale Semiconductor
47
It is possible to program the entire array through the single-wire background debug interface. Because no
special voltages are needed for FLASH erase and programming operations, in-application programming
is also possible through other software-controlled communication paths. For a more detailed discussion of
in-circuit and in-application programming, refer to the HCS08 Family Reference Manual, Volume I,
Freescale Semiconductor document order number HCS08RMv1/D.
4.4.1
Features
Features of the FLASH memory include:
FLASH Size
— MC9S08GB60/MC9S08GT60 — 61268 bytes (120 pages of 512 bytes each)
— MC9S08GB32/MC9S08GT32— 32768 bytes (64 pages of 512 bytes each)
— MC9S08GT16 — 16384 bytes (32 pages of 512 bytes each)
Single power supply program and erase
Command interface for fast program and erase operation
Up to 100,000 program/erase cycles at typical voltage and temperature
Flexible block protection
Security feature for FLASH and RAM
Auto power-down for low-frequency read accesses
4.4.2
Program and Erase Times
Before any program or erase command can be accepted, the FLASH clock divider register (FCDIV) must
be written to set the internal clock for the FLASH module to a frequency (fFCLK) between 150 kHz and
200 kHz (see Table 4.6.1). This register can be written only once, so normally this write is done during
reset initialization. FCDIV cannot be written if the access error ag, FACCERR in FSTAT, is set. The user
must ensure that FACCERR is not set before writing to the FCDIV register. One period of the resulting
clock (1/fFCLK) is used by the command processor to time program and erase pulses. An integer number
of these timing pulses is used by the command processor to complete a program or erase command.
Table 4-5 shows program and erase times. The bus clock frequency and FCDIV determine the frequency
of FCLK (fFCLK). The time for one cycle of FCLK is tFCLK = 1/fFCLK. The times are shown as a number
of cycles of FCLK and as an absolute time for the case where tFCLK =5 s. Program and erase times
shown include overhead for the command state machine and enabling and disabling of program and erase
voltages.
Table 4-5. Program and Erase Times
Parameter
Cycles of FCLK
Time if FCLK = 200 kHz
Byte program
9
45
s
Byte program (burst)
4
20
s1
1 Excluding start/end overhead
Page erase
4000
20 ms
Mass erase
20,000
100 ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S08DZ60CLCR | MCU 8BIT 60K FLASH 32-LQFP |
| MC9S08DV96MLH | MCU 8BIT 96K FLASH 64-LQFP |
| MC9S08DV96MLF | MCU 8BIT 96K FLASH 48-LQFP |
| MC9S08DV96CLL | MCU 8BIT 96K FLASH 100-LQFP |
| MC9S08DV96CLH | MCU 8BIT 96K FLASH 64-LQFP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC9S08GT32CFDE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 32K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S08GT32CFDER | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B 32K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S08GT32CFU | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC9S08GT32CMC | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC9S08GT60 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Microcontrollers |
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