參數(shù)資料
型號: MC9S08GT32CFD
廠商: Freescale Semiconductor
文件頁數(shù): 238/290頁
文件大小: 0K
描述: MCU 8BIT 32K FLASH 48-QFN
標準包裝: 260
系列: S08
核心處理器: S08
芯體尺寸: 8-位
速度: 40MHz
連通性: I²C,SCI,SPI
外圍設(shè)備: LVD,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 39
程序存儲器容量: 32KB(32K x 8)
程序存儲器類型: 閃存
RAM 容量: 2K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 1.8 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 8x10b
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 48-VFQFN 裸露焊盤
包裝: 托盤
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FLASH
MC9S08GB/GT Data Sheet, Rev. 2.3
Freescale Semiconductor
51
Writing to a FLASH address before the internal FLASH clock frequency has been set by writing
to the FCDIV register
Writing to a FLASH address while FCBEF is not set (A new command cannot be started until the
command buffer is empty.)
Writing a second time to a FLASH address before launching the previous command (There is only
one write to FLASH for every command.)
Writing a second time to FCMD before launching the previous command (There is only one write
to FCMD for every command.)
Writing to any FLASH control register other than FCMD after writing to a FLASH address
Writing any command code other than the ve allowed codes ($05, $20, $25, $40, or $41) to
FCMD
Accessing (read or write) any FLASH control register other than the write to FSTAT (to clear
FCBEF and launch the command) after writing the command to FCMD
The MCU enters stop mode while a program or erase command is in progress (The command is
aborted.)
Writing the byte program, burst program, or page erase command code ($20, $25, or $40) with a
background debug command while the MCU is secured (The background debug controller can
only do blank check and mass erase commands when the MCU is secure.)
Writing 0 to FCBEF to cancel a partial command
4.4.6
FLASH Block Protection
Block protection prevents program or erase changes for FLASH memory locations in a designated address
range. Mass erase is disabled when any block of FLASH is protected. The MC9S08GB/GT allows a block
of memory at the end of FLASH, and/or the entire FLASH memory to be block protected. A disable
control bit and a 3-bit control eld, allows the user to set the size of this block. A separate control bit allows
block protection of the entire FLASH memory array. All seven of these control bits are located in the
At reset, the high-page register (FPROT) is loaded with the contents of the NVPROT location which is in
the nonvolatile register block of the FLASH memory. The value in FPROT cannot be changed directly
from application software so a runaway program cannot alter the block protection settings. If the last 512
bytes of FLASH which includes the NVPROT register is protected, the application program cannot alter
the block protection settings (intentionally or unintentionally). The FPROT control bits can be written by
background debug commands to allow a way to erase a protected FLASH memory.
One use for block protection is to block protect an area of FLASH memory for a bootloader program. This
bootloader program then can be used to erase the rest of the FLASH memory and reprogram it. Because
the bootloader is protected, it remains intact even if MCU power is lost in the middle of an erase and
reprogram operation.
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PDF描述
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參數(shù)描述
MC9S08GT32CFDE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 32K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC9S08GT32CFDER 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B 32K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC9S08GT32CFU 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers
MC9S08GT32CMC 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers
MC9S08GT60 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Microcontrollers