參數(shù)資料
型號(hào)： MCP6033T-E/MC
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 29/34頁
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP SNGL 1.8V W/CS 8DFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,300
放大器類型： 通用
電路數(shù)： 1
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 0.004 V/µs
增益帶寬積： 10kHz
電流 - 輸入偏壓： 1pA
電壓 - 輸入偏移： 150µV
電流 - 電源： 0.9µA
電流 - 輸出 / 通道： 23mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-VFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-DFN（2x3）
包裝： 帶卷 (TR)
其它名稱： MCP6033T-E/MCTR
MCP6031/2/3/4
DS22041B-page 4
2008 Microchip Technology Inc.
MCP6033 CHIP SELECT ELECTRICAL CHARACTERISTICS
FIGURE 1-1:
Timing Diagram for the CS
Pin on the MCP6033.
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, V
DD = +1.8V to +5.5V, VSS =GND, TA = +25°C, VCM =VDD/2,
VOUT =VDD/2, VL = VDD/2, CL = 60 pF, RL = 1 MΩ to VL and CS is tied low (Refer to Figure 1-1).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
CS Low Specifications
CS Logic Threshold, Low
VIL
VSS
—0.2VDD
V
CS Input Current, Low
ICSL
—-10
—
pA
CS = VSS
CS High Specifications
CS Logic Threshold, High
VIH
0.8VDD
VDD
V
CS Input Current, High
ICSH
—10
—
pA
CS = VDD
GND Current
ISS
—
-400
—
pA
CS = VDD
Amplifier Output Leakage
IO(LEAK)
—10
—
pA
CS = VDD
CS Dynamic Specifications
CS Low to Amplifier Output
Turn-on Time
tON
—
4
100
ms
CS
≤ 0.2V
DD to VOUT = 0.9VDD/2,
G = +1 V/V, VIN = VDD/2,
RL = 50 kΩ to VL = VSS.
CS High to Amplifier Output
High-Z
tOFF
—10
—
s
CS
≥ 0.8V
DD to VOUT = 0.1VDD/2,
G = +1 V/V, VIN = VDD/2,
RL = 50 kΩ to VL = VSS.
CS Hysteresis
VHYST
—0.3VDD
—V
VIL
High-Z
tON
VIH
CS
tOFF
VOUT
-400 pA
High-Z
ISS
ICS
10 pA
-400 pA
-0.9 A
(typical)
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PDF描述
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