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參數(shù)資料
型號(hào)： MCP79512T-I/MN
廠商： Microchip Technology
文件頁(yè)數(shù)： 12/17頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC RTCC SPI 64B SRAM 10-TDFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,300
類型： 時(shí)鐘/日歷
特點(diǎn)： 警報(bào)器，EEPROM，閏年，方波輸出，SRAM，唯一 ID
存儲(chǔ)容量： 64B
時(shí)間格式： HH:MM:SS:hh（12/24 小時(shí)）
數(shù)據(jù)格式： YY-MM-DD-dd
接口： SPI
電源電壓： 1.8 V ~ 3.6 V
電壓 - 電源，電池： 1.3 V ~ 3.6 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 10-WFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 10-TDFN（3x3）
包裝： 帶卷 (TR)
MCP7952X/MCP7951X
DS22300A-page 4
Preliminary
2012 Microchip Technology Inc.
TABLE 1-2:
AC CHARACTERISTICS
Industrial (I):
TAMB = -40°C to +85°C VCC = 1.8V to 3.6V
Param.
No.
Sym.
Characteristic
Min.
Max.
Units
Test Conditions
1FCLK
Clock Frequency
—
5
3
MHz
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
2TCSS
CS Setup Time
100
150
—
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
3TCSH
CS Hold Time
100
150
—
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
4TCSD
CS Disable Time
50
—
ns
—
5
Tsu
Data Setup Time
20
30
—
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
6THD
Data Hold Time
40
50
—
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
7TR
CLK Rise Time
—
100
ns
8TF
CLK Fall Time
—
100
ns
9THI
Clock High Time
100
150
—
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
10
TLO
Clock Low Time
100
150
—
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
11
TCLD
Clock Delay Time
50
—
ns
—
12
TCLE
Clock Enable Time
50
—
ns
—
13
TV
Output Valid from Clock
Low
—
100
160
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
14
THO
Output Hold Time
0
—
ns
15
TDIS
Output Disable Time
—
80
160
ns
2.5V
Vcc 3.6V (Note 1)
1.8V
Vcc 2.5V (Note 1)
16
TWC
Internal Write Cycle Time
—
5
ms
17
—
Endurance
1,000,000
—
E/W
Cycles
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.
2: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific
application, please consult the Total Endurance Model which can be obtained from Microchip’s web site:
www.microchip.com.
3: TWC begins on the rising edge of CS after a valid write sequence and ends when the internal write cycle
is complete.
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