參數(shù)資料
型號(hào)： MCZ33883EG
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： H-Bridge Gate Driver IC
中文描述： H橋門驅(qū)動(dòng)器集成電路
文件頁數(shù)： 8/21頁
文件大?。?/td> 323K
代理商： MCZ33883EG
Analog Integrated Circuit Device Data
Freescale Semiconductor
8
33883
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Table 4. Dynamic Electrical Characteristics
Characteristics noted under conditions 7.0 V
≤
V
SUP
≤
18 V, -40
°
C
≤
T
A
≤
125
°
C, GND = 0.0 V unless otherwise noted.
Typical values noted reflect the approximate parameter means at T
A
= 25°C under nominal conditions unless otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
TIMING CHARACTERISTICS
Propagation Delay High Side and Low Side
C
LOAD
= 5.0 nF, Between 50% Input to 50% Output
(10)
(see
Figure 4
)
PD
–
200
300
ns
Turn-On Rise Time
C
LOAD
= 5.0 nF, 10% to 90%
(10)
,
(11)
(see
Figure 4
)
t
R
–
80
180
ns
Turn-Off Fall Time
C
LOAD
= 5.0 nF, 10% to 90%
(10)
,
(11)
(see
Figure 4
)
t
F
–
80
180
ns
10.
11.
C
LOAD
corresponds to a capacitor between GATE_HS and SRC_HS for the high side and between GATE_LS and ground for low side.
Rise time is given by time needed to change the gate from 1.0 V to 10 V (vice versa for fall time).
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