參數(shù)資料
型號: MD80C32-30
廠商: TEMIC SEMICONDUCTORS
元件分類: 微控制器/微處理器
英文描述: 8-BIT, 30 MHz, MICROCONTROLLER, CDIP40
文件頁數(shù): 56/210頁
文件大?。?/td> 5175K
代理商: MD80C32-30
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8048C–AVR–02/12
ATtiny43U
Figure 19-3. Programming the Flash Waveforms
Note:
1. “XX” is don’t care. The letters refer to the programming description above.
I. Repeat B through H until the entire Flash is programmed or until all data has been
programmed.
J. End Page Programming
1.
1. Set XA1, XA0 to “10”. This enables command loading.
2.
Set DATA to “0000 0000”. This is the command for No Operation.
3.
Give CLKI a positive pulse. This loads the command, and the internal write signals are
reset.
19.6.5
Programming the EEPROM
The EEPROM is organized in pages, see Table 19-9 on page 144. When programming the
EEPROM, the program data is latched into a page buffer. This allows one page of data to be
programmed simultaneously. The programming algorithm for the EEPROM data memory is as
follows (refer to “Programming the Flash” on page 147 for details on Command, Address and
Data loading):
1.
A: Load Command “0001 0001”.
2.
G: Load Address High Byte (0x00 - 0xFF).
3.
B: Load Address Low Byte (0x00 - 0xFF).
4.
C: Load Data (0x00 - 0xFF).
5.
E: No action.
K: Repeat 3 through 5 until the entire buffer is filled.
L: Program EEPROM page
1.
Set BS1 to “0”.
2.
Give WR a negative pulse. This starts programming of the EEPROM page. RDY/BSY
goes low.
3.
Wait until to RDY/BSY goes high before programming the next page (See Figure 19-4
for signal waveforms).
RDY/BSY
WR
OE
RESET +12V
0x10
ADDR. LOW
ADDR. HIGH
DATA
DATA LOW
DATA HIGH
ADDR. LOW
DATA LOW
DATA HIGH
XA1/BS2
XA0
PAGEL/BS1
CLKI
XX
AB
CD
E
B
C
D
E
G
H
F
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PDF描述
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