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參數(shù)資料
| 型號： | MG800J2YS50A |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | MG800J2YS50A |
MG800J2YS50A
2002-10-31
3
C
C
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
C
C
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
I
C
– V
GE
0
1800
800
1600
200
5
0
2
1000
4
400
1400
Common emitter
Tj 25°C
600
1200
1
3
VGE 8 V
9
10
12
15
20
0
1800
800
1600
200
5
0
2
1000
4
400
1400
Common emitter
Tj 125°C
600
1200
1
3
VGE 8 V
9
10
12
15
20
0
12
2
20
0
8
6
16
10
Common emitter
Tj 25°C
4
8
4
12
IC 400 A
1600
800
0
12
2
20
0
8
6
16
10
Common emitter
Tj 125°C
4
8
4
12
IC 400 A
1600
800
Tj 125°C
0
1800
200
16
0
8
800
12
1600
Common emitter
VCE 5 V
600
1200
4
10
14
2
6
400
1000
1400
25
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG90V2YS40 | WIRE, ETFE, TEFZEL, 14AWG, WHITE, 100M; Area, conductor CSA:1.675mm2; Conductor make-up:37/0.250; Voltage rating, AC:600V; Current rating:23A; Colour, primary insulation:White; Material, primary insulation:Tefzel; Diameter, RoHS Compliant: Yes |
| MGF0904 | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0904A | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0905 | MINIATURE POWER RELAY |
| MGF0905A | L,S BAND POWER GaAs FET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG80186-6/B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-6/BZA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8/B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8/BZA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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