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參數(shù)資料
| 型號： | MG800J2YS50A |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | MG800J2YS50A |
MG800J2YS50A
2002-10-31
6
C – V
CE
R
th (t)
– t
w
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Pulse width t
w
(s)
C
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Reverse bias SOA
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Scsoa
Common emitter
VGE 0
f 1 MHz
Tj 25°C
100
1000000
1000
0
100000
100
1
10
1000
10000
Ciss
Coss
Crss
Tc 25°C
0.001
10
0.001
1
1
0.01
0.1
0.01
0.1
Diode stage
Transistor stage
1
800
0
10000
600
200
400
10
100
1000
Tj
VGE 15 V
RG 4.7
125°C
1
800
0
10000
600
200
400
10
100
1000
Common emitter
VCC 300 V
Tj
125°C
tw 10 s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG90V2YS40 | WIRE, ETFE, TEFZEL, 14AWG, WHITE, 100M; Area, conductor CSA:1.675mm2; Conductor make-up:37/0.250; Voltage rating, AC:600V; Current rating:23A; Colour, primary insulation:White; Material, primary insulation:Tefzel; Diameter, RoHS Compliant: Yes |
| MGF0904 | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0904A | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0905 | MINIATURE POWER RELAY |
| MGF0905A | L,S BAND POWER GaAs FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG80186-6/B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-6/BZA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8/B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8/BZA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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