參數(shù)資料
型號： MGF0952P
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： L & S BAND GaAs FET [ Plastic Mold Lead-less PKG ]
中文描述： 蜇
文件頁數(shù)： 18/50頁
文件大?。?/td> 1439K
代理商： MGF0952P
MGF0952P RF TEST DATA(CW)
Gp,Po,Id(RF),Ig(RF) v.s. Pin
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION Mar./2005
(18/50)
Po v.s. Pin freq.=2.6Hz
IDQ=0.2A
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Pin(dBm)
P
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Gp v.s. Pin freq.=2.6GHz
IDQ=0.2A
3
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5
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Pin(dBm)
G
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Id(RF) v.s. Pin freq.=2.6GHz
IDQ=0.2A
0.0
0.1
0.2
0.4
0.5
0.7
0.9
1.0
1.2
5
10
15
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Pin(dBm)
I
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Ig(RF) v.s. Pin freq.=2.6GHz
IDQ=0.2A
-8
-6
-4
-2
0
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4
6
8
10
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Pin(dBm)
I
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Po v.s. Pin freq.=2.6Hz
IDQ=0.16A
15
20
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40
5
10
15
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30
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Pin(dBm)
P
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Gp v.s. Pin freq.=2.6GHz
IDQ=0.16A
3
4
5
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5
10
15
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Pin(dBm)
G
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Id(RF) v.s. Pin freq.=2.6GHz
IDQ=0.16A
0.0
0.1
0.2
0.4
0.5
0.7
0.9
1.0
1.2
5
10
15
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35
Pin(dBm)
I
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Ig(RF) v.s. Pin freq.=2.6GHz
IDQ=0.16A
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
14
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5
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Pin(dBm)
I
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Po v.s. Pin freq.=2.6Hz
IDQ=0.12A
15
20
25
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40
5
10
15
20
25
30
35
Pin(dBm)
P
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Gp v.s. Pin freq.=2.6GHz
IDQ=0.12A
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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13
5
10
15
20
25
30
35
Pin(dBm)
G
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Id(RF) v.s. Pin freq.=2.6GHz
IDQ=0.12A
0.0
0.1
0.3
0.4
0.6
0.7
0.8
1.0
1.1
5
10
15
20
25
30
35
Pin(dBm)
I
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Ig(RF) v.s. Pin freq.=2.6GHz
IDQ=0.12A
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
14
18
5
10
15
20
25
30
35
Pin(dBm)
I
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Po v.s. Pin freq.=2.6Hz
IDQ=0.12A
15
20
25
30
35
40
5
10
15
20
25
30
35
Pin(dBm)
P
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Gp v.s. Pin freq.=2.6GHz
IDQ=0.05A
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
5
10
15
20
25
30
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Pin(dBm)
G
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Id(RF) v.s. Pin freq.=2.6GHz
IDQ=0.12A
0.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.8
1.0
1.2
5
10
15
20
25
30
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Pin(dBm)
I
VD=10V
VD=9V
VD=8V
Ig(RF) v.s. Pin freq.=2.6GHz
IDQ=0.12A
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
14
18
5
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20
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Pin(dBm)
I
VD=10V
VD=9V
VD=8V
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