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參數(shù)資料
| 型號： | MGFK35V2732 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 12.7-13.2GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| 中文描述： | 12.7 - 13.2GHz頻段3W內(nèi)部匹配砷化鎵場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 96K |
| 代理商： | MGFK35V2732 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFK35V4045 | Aluminum Electrolytic Radial Lead Low Impedance Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 10V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk |
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| MGFK38A3745 | 13.75-14.50GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK38V2732 | RECTIFIER BRIDGE 10A 50V 220A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/BOX |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGFK35V4045 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK36V4045 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFK37V4045 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5GHz BAND 5W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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