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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MGFK38V2228 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | RECTIFIER BRIDGE 35A 1000V 400A-ifsm 1.1V-vf 5uA-ir GBPCW 100/TRAY |
| 中文描述： | 12.2 - 12.8GHz頻段6W內(nèi)部匹配砷化鎵場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | MGFK38V2228 |
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGFK38A3745
13.75 ~ 14.50GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MITSUBISHI
ELECTRIC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFK38V2732 | RECTIFIER BRIDGE 10A 50V 220A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/BOX |
| MGFL45V1920A | 1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGFL45V1920 | 1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGFX39V0717 | 10.7 - 11.7GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGP11N60ED | 11A，600V Insulated Gate Biploar Transistor with Anti-Parallel Diode（N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate）(帶軟恢復(fù)超快速整流器的絕緣柵雙極性晶體管（N溝道增強(qiáng)型硅門）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGFK38V2732 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:12.7-13.2GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK39V4045_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5 GHz BAND / 8W |
| MGFK41A4045 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5 GHz BAND / 12W |
| MGFK44A4045 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5GHz BAND 25W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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