參數(shù)資料
型號： MGW20N120
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistor
中文描述： 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AE
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： MGW20N120
5
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
Figure 12. Thermal Response
t, TIME (s)
r
T
1.0
0.1
0.01
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGW20N120 Insulated Gate Bipolar Transistor
MHL19338 PCS BAND RF LINEAR LDMOS AMPLIFIER
MHPA18010 ROTARY SWITCH, T0-1-15402/E; Poles, No. of:2; Current rating:20A; Depth, external:87mm; IP rating:IP65; Length / Height, external:48mm; Temp, op. max:40(degree C); Temp, op. min:-25(degree C); Voltage, working:220V; Width, RoHS Compliant: NA
MHPM6B15E60D3 Hybrid Power Module
MHPM6B2A60D DIODE ZENER 150MW 4.7V 0603
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