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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MH4S64CBMD-10B |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| 中文描述： | 268435456位（4194304字，64位）SynchronousDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 47/55頁 |
| 文件大小： | 586K |
| 代理商： | MH4S64CBMD-10B |
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MH4S64BLG -7,-8,-10
268435456-BIT (4194304 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
MITSUBISHI LSIs
( 47
MITSUBISHI
ELECTRIC
29.Oct.1998
Preliminary Spec.
Some contents are subject to change without notice.
MIT-DS-0227-0.5
Self-Refresh
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
BA0,1
DQ
Self-Refresh Entry
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
CLK
Before Self-Refresh Entry,
all banks must be idle state.
X
X
X
0
Self-Refresh Exit
ACT#0
After tRC from Self-Refresh Exit,
all banks are idle state.
tRC
tSRX
CLK can be stopped
CKE must be low to maintain Self-Refresh
Italic parameter
indicates minimum case
A0-8
A10
DQM
A9,11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MH4S64CBMD-12 | 268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| MH4S64CBMD-12B | 268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| MH4S64CBMD-15 | 268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| MH4S64CBMD-15B | 268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| MH4V6445BXJJ-5 | HYPER PAGE MODE 268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MH4S64CBMD-12 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| MH4S64CBMD-12B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| MH4S64CBMD-15 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| MH4S64CBMD-15B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| MH4S64CWZTJ-12 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
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