參數(shù)資料
型號： MHVIC2115NR2
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大小： 425K
代理商： MHVIC2115NR2
MHVIC2115NR2
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 978-03
ISSUE C
PFP-16
DIM
A
A1
A2
D
D1
E
E1
E2
L
L1
b
b1
c
c1
e
h
MIN
2.000
0.025
1.950
6.950
4.372
8.850
6.950
4.372
0.466
0.250 BSC
0.300
0.300
0.180
0.180
0.800 BSC
0
0.200
0.200
0.100
MAX
2.300
0.100
2.100
7.100
5.180
9.150
7.100
5.180
0.720
MILLIMETERS
0.432
0.375
0.279
0.230
0.600
7
aaa
bbb
ccc
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
2. DIMENSIONS AND TOLERANCES PER ASME
Y14.5M, 1994.
3. DATUM PLANE H IS LOCATED AT BOTTOM OF
LEAD AND IS COINCIDENT WITH THE LEAD
WHERE THE LEAD EXITS THE PLASTIC BODY AT
THE BOTTOM OF THE PARTING LINE.
4. DIMENSIONS D AND E1 DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION IS
0.250 PER SIDE. DIMENSIONS D AND E1 DO
INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE
DETERMINED AT DATUM PLANE H.
5. DIMENSION b DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION IS 0.127 TOTAL IN EXCESS OF THE
b DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
6. DATUMS A AND B TO BE DETERMINED AT
DATUM PLANE H.
BOTTOM VIEW
D1
E2
16
9
8
1
e
S
B
M
bbb
C
D
X 45
h
e
1
E1
8X
E
A2
A
SEATING
PLANE
DATUM
PLANE
GAUGE
PLANE
L
1.000
0.039
L
W
W
A1
ccc C
DETAIL Y
SECT W-W
c
c1
b1
b
éé
S
A
M
aaa
C
A
B
H
C
Y
相關PDF資料
PDF描述
MHVIC910HNR2 921 MHz-960 MHz SiFET RF Integrated Power Amplifier
MHVIC915NR2 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHW10186N Gallium Arsenide CATV Amplifier Module
MHW10188AN Gallium Arsenide CATV Amplifier Module
MHW10236N Gallium Arsenide CATV Amplifier Module
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參數(shù)描述
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