參數(shù)資料
型號(hào)： MHVIC2115NR2
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大小： 425K
代理商： MHVIC2115NR2
MHVIC2115NR2
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
3000
20
50
1000
35
0
S21
f, FEQUENCY (MHz)
Figure 5. Broadband Frequency Response
S
S
S11
40
5
30
10
20
15
10
20
0
25
10
30
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
V
DD
= 27 Vdc, P
out
= 23 dBm CW
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
2180
0
2100
1.8
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 6. Delay versus Frequency
D
T
C
= 85 C
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
V
DD
= 27 Vdc, P
out
= 23 dBm CW
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
25 C
30 C
2180
2100
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
30
40
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 7. Power Gain versus Frequency
Gp
39
38
37
36
35
34
33
32
31
25 C
85 C
V
DD
= 27 Vdc, P
out
= 23 dBm CW
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
T
C
= 30 C
2180
2100
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
0
20
f, FREQUENCY, (MHz)
Figure 8. Input Return Loss versus Frequency
I
I
15
10
5
V
DD
= 27 Vdc, P
out
= 23 dBm CW
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
25 C
30 C
T
C
= 85 C
30
40
20
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 9. Power Gain versus Output Power
Gp
25 C
85 C
T
C
= 30 C
25
30
35
40
45
39
38
37
36
35
34
33
32
31
40
70
20
30 C
85 C
T
C
= 25 C
25
30
35
40
45
65
60
55
50
45
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 10. S21 Phase versus Output Power
S
V
DD
= 27 Vdc, f = 2140 MHz
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
V
DD
= 27 Vdc, f = 2140 MHz
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
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PDF描述
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