參數(shù)資料
型號(hào)： MIG50Q6CSB1X
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： 東芝智能功率模塊IGBT的硅?頻道
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大?。?/td> 169K
代理商： MIG50Q6CSB1X
MIG50Q6CSB1X
2003-02-19
7
4. Recommended conditions for application
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Supply voltage
V
CC
P-N Power terminal
600
800
V
Control supply voltage
V
D
V
D
-GND Signal terminal
13.5
15
16.5
V
Carrier frequency
fc
PWM Control
20
kHz
Dead time
tdead
Switching time test circuit
(see page.6)
(Note 2)
3
s
Note 2: The table lists Dead time requirements for the module input, excluding photocoupler delays. When
specifying dead time requirements for the photocoupler input, please add photocoupler delays to the dead
time given above.
Dead Time Timing Chart
t
dead
15 V
V
IN
Waveform
V
IN
Waveform
0
15 V
0
t
dead
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIG75J101H Silicon N Channel IGBT
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MIG75Q201H High Power Switching Applications Motor Control Applications
MIG75Q202H High Power Switching Applications Motor Control Applications
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