參數(shù)資料
型號： MJ11013
廠商： MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述： POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W)
中文描述： 功率晶體管（30A條,60 - 120伏特，功率200W）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 157K
代理商： MJ11013
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
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. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica-
tions.
High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC – 20 Adc
Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistor
Rating
Collector–Emitter Voltage
Symbol
MJ11012
MJ11014
90
MJ11016
120
Unit
Vdc
Collector–Base Voltage
60
90
120
Vdc
Emitter–Base Voltage
5
60
Vdc
Collector Current
30
Adc
Base Current
1
Adc
Derate above 25 C @ TC = 100 C
200
Watts
Operating Storage Junction
TJ, Tstg
–55 to +200
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
θ
JC
TL
Max
0.87
Unit
C/W
Maximum Lead Temperature for
275
C
Figure 1. Darlington Circuit Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8.0 k
≈
40
PNP
MJ11013
MJ11015
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8.0 k
≈
40
NPN
MJ11012
MJ11014
MJ11016
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ11012/D
30 AMPERE
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
60–120 VOLTS
200 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
REV 1
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PDF描述
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MJ11017 Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators
MJ11022 Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators
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