參數(shù)資料
型號(hào): MJD127T4
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述: 互補(bǔ)功率達(dá)林頓晶體管
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商: MJD127T4
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
6/8
DIM.
mm
TYP.
inch
TYP.
MIN.
2.20
0.90
0.70
0.64
5.20
MAX.
2.40
1.10
1.30
0.90
5.40
0.85
MIN.
0.087
0.035
0.028
0.025
0.204
MAX.
0.094
0.043
0.051
0.035
0.213
0.033
A
A1
A3
B
B2
B3
B5
B6
C
C2
D
E
G
H
L
L1
L2
V1
0.30
0.012
0.95
0.60
0.60
6.20
6.60
4.60
16.30
9.40
1.20
1.00
0.037
0.024
0.024
0.244
0.260
0.181
0.642
0.370
0.047
0.039
0.45
0.48
6.00
6.40
4.40
15.90
9.00
0.80
0.018
0.019
0.237
0.252
0.173
0.626
0.354
0.031
0.80
10
o
0.031
10
o
P032N_E
TO-251 (IPAK) MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD127 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD127-1 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127T4 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127 Complementary Darlington Power Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD127T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127-TP 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MJD128 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor
MJD128T4 功能描述:TRANS DARL PNP 8A 120V DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR