參數(shù)資料
型號(hào)： MJD127T4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)功率達(dá)林頓晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： MJD127T4
7/8
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.20
2.40
0.087
0.094
A1
0.90
1.10
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.90
0.025
0.035
B2
5.20
5.40
0.204
0.213
C
0.45
0.60
0.018
0.024
C2
0.48
0.60
0.019
0.024
D
6.00
6.20
0.236
0.244
E
6.40
6.60
0.252
0.260
G
4.40
4.60
0.173
0.181
H
9.35
10.10
0.368
0.398
L2
0.8
0.031
L4
0.60
1.00
0.024
0.039
V2
0
o
8
o
0
o
0
o
P032P_B
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD127 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD127-1 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127T4 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127 Complementary Darlington Power Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD127TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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