參數(shù)資料
型號: MJD148
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: NPN Silicon Power Transistor(NPN硅功率晶體管)
中文描述: NPN硅功率晶體管(npn型硅功率晶體管)
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代理商: MJD148
MJD148
http://onsemi.com
2
2%.
C
OFF CHARACTERISTICS
Collector Cutoff Current
V
CB
= 45 Vdc, I
E
= 0
I
CBO
20
Adc
DC Current Gain (Note 2)
I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5 Vdc
I
C
= 2 Adc, V
CE
= 1 Vdc
C
CE
C
CE
BE(on)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
CurrentGainBandwidth Product
I
C
= 250 mAdc, V
CE
= 1 Vdc, f = 1 MHz
f
T
3
MHz
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MJD148T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD148T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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