參數(shù)資料
型號(hào)： MJD148
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： NPN Silicon Power Transistor(NPN硅功率晶體管)
中文描述： NPN硅功率晶體管（npn型硅功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： MJD148
MJD148
http://onsemi.com
3
Figure 1. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
0.1
0.004
3
1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
4
5
2
0.3
0.2
0.007
0.02
0.05
0.03
T
J
= 150
°
C
= 25
°
C
V
CE
= 2 V
V
CE
= 10 V
55
°
C
h
F
,
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 2. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT (mA)
2
0
0.05
1.6
1.2
0.1
1
2
3
5
10
20
30
500
0.8
0.4
0.07
0.2
0.5
0.3
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10 mA
0.7
7
50
70 100
200 300
100 mA
1 A
3 A
V
C
,
2
0.005
Figure 3. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
0
0.01 0.020.030.05
0.1
0.5
1
4
0.8
Figure 4. Temperature Coefficients
+2.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
1.6
1.2
V
0.4
0.20.3
2
3
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2 V
0.005
0.01 0.020.030.05
0.1
0.5
1
0.20.3
2
3
+2
+1.5
+1
0
0.5
1
1.5
2
+0.5
2.5
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
h
FE
/2
*
T
J
= 65
°
C to +150
°
C
*
V
for V
CE(sat)
V
for V
BE
y
,
(
°
C
4
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