參數(shù)資料
型號(hào)： MJD210
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
中文描述： 互補(bǔ)硅功率晶體管（互補(bǔ)硅功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 48K
代理商： MJD210
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
10
89.3
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
I
C
= 10 mA
25
V
I
CBO
V
CB
= 40 V
V
CB
= 40 V T
J
= 125
o
C
0.1
0.1
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE
= 8 V
0.1
V
CE(sat)
I
C
= 500 mA I
B
= 50 mA
I
C
= 2 A I
B
= 200 mA
I
C
= 5 A I
B
= 1 A
I
C
= 5 A I
B
= 1 A
0.3
0.75
1.8
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter On
Voltage
Transition Frequency
2.5
V
V
BE(on)
I
C
= 2 A V
CE
= 1 V
1.6
V
f
T
I
C
= 100 mA V
CE
= 10 V
f = 10 MHz
I
C
= 500 mA V
CE
= 1 V
I
C
= 2 A V
CE
= 1 V
I
C
= 5 A V
CE
= 2 V
65
MHz
h
FE
DC Current Gain
70
45
10
180
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
For PNP type voltage and current values are negative.
MJD200 / MJD210
2/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD29C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD29 NPN Epitaxial Silicon Transistor(NPN硅外延晶體管)
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MJD31C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD32B COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD210-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
MJD210G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD210G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MJD210G-TM3-T 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
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