型號(hào): | MJD243T4G |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Complementary Silicon Plastic Power Transistor |
中文描述: | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 5/6頁 |
文件大?。?/td> | 209K |
代理商: | MJD243T4G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MJD243T4 | Complementary Silicon Plastic Power Transistor |
MJD243-1 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS |
MJD243T4 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS |
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MJD3055 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJD253-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications |
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MJD253T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |