參數(shù)資料
型號： MJD350
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
中文描述： 互補(bǔ)硅功率晶體管（互補(bǔ)硅功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 65K
代理商： MJD350
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
8.33
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (v
bE
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
DC Current Gain
V
CB
= 300 V
0.1
mA
I
EBO
V
EB
= 3 V
0.1
mA
V
CEO(sus)
I
C
= 1 mA
300
V
h
FE
I
C
= 50 mA
V
CE
= 10 V
30
240
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
For PNP type voltage and currentvalues are negative.
Safe OperatingArea
DeratingCurve
MJD340 / MJD350
2/5
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PDF描述
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