參數(shù)資料
型號(hào)： MJD350
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： PNP High Voltage Power Transistors(PNP高電壓功率晶體管)
中文描述： 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 355K
代理商： MJD350
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
M
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Dissipation (T
a
= 25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
= 25
°
C)
T
J
Junction Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CEO
(sus)
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
I
CEO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
* DC Current Gain
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Parameter
Value
- 300
- 300
- 3
- 0.5
- 0.75
1.56
15
150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°
C
Test Condition
I
C
= 1mA, I
B
= 0
V
CB
= -300V, I
E
=0
V
EB
= -3V, I
C
= 0
V
CE
= -10V, I
C
= -50mA
Min.
-300
Max.
Units
V
mA
mA
-0.1
-0.1
240
30
MJD350
High Voltage Power Transistors
D-PAK for Surface Mount Applications
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)
Straight Lead (“ - I” Suffix)
1.Base 2.Collector 3.Emitter
D-PAK
I-PAK
1
1
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PDF描述
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