參數(shù)資料
型號： MJD41CT4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
中文描述： 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： MJD41CT4
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
M
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CEO
(sus)
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
I
CEO
Collector Cut-off Current
I
CES
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
* DC Current Gain
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Parameter
Value
100
100
5
6
10
2
20
1.75
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 30mA, I
B
= 0
V
CE
= 60V, I
B
= 0
V
CE
= 100V, V
BE
= 0
V
BE
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 4V, I
C
= 0.3A
V
CE
= 4V, I
C
= 3A
I
C
= 6A, I
B
= 600mA
V
CE
= 6A, I
C
= 4A
V
CE
= 10V, I
C
= 500mA
Min.
100
Max.
Units
V
μ
A
uA
mA
50
10
0.5
30
15
75
1.5
2
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter ON Voltage
Current Gain Bandwidth Product
V
V
3
MHz
MJD41C
General Purpose Amplifier
Low Speed Switching Applications
D-PAK for Surface Mount Applications
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)
Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP41C
1.Base 2.Collector 3.Emitter
D-PAK
I-PAK
1
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD42_MJD42C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD42C 10 AMP SUBMINIATURE POWER RELAY
MJD42 General Purpose Amplifier
MJD42CTF General Purpose Amplifier
MJD44H11 NPN Epitaxial Silicon Transistor(General Purpose Power Switching Application)(NPN硅外延晶體管（通用功率開關(guān)作用）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD41CT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD41CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD42 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier
MJD42_MJD42C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD42C 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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