型號(hào): | MJD42_MJD42C |
廠商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
中文描述: | 通用放大器低速開(kāi)關(guān)應(yīng)用 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/5頁(yè) |
文件大小: | 48K |
代理商: | MJD42_MJD42C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MJD42C | 10 AMP SUBMINIATURE POWER RELAY |
MJD42 | General Purpose Amplifier |
MJD42CTF | General Purpose Amplifier |
MJD44H11 | NPN Epitaxial Silicon Transistor(General Purpose Power Switching Application)(NPN硅外延晶體管(通用功率開(kāi)關(guān)作用)) |
MJD45H11 | Complementary Silicon PNP Transistors(互補(bǔ)硅PNP晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJD44 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS |
MJD44E3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications 10 AMPERES 80 VOLTS, 20 WATTS |
MJD44E3-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
MJD44E3T4 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJD44E3T4G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |