參數(shù)資料
型號： MJD42C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 AMP SUBMINIATURE POWER RELAY
中文描述： 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： MJD42C
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
M
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CEO
(sus)
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
I
CEO
Collector Cut-off Current
I
CES
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
* DC Current Gain
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Parameter
Value
-100
-100
-5
-6
-10
-2
20
1.75
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= - 30mA, I
B
= 0
V
CE
= -60V, I
B
= 0
V
CE
= -100V, V
BE
= 0
V
BE
= -5V, I
C
= 0
V
CE
= -4V, I
C
= -0.3A
V
CE
= -4V, I
C
= -3A
I
C
= -6A, I
B
= -600mA
V
CE
= -6A, I
C
= -4A
V
CE
= -10V, I
C
= -500mA
Min.
-100
Max.
Units
V
μ
A
μ
A
mA
-50
-10
-0.5
30
15
75
-1.5
-2
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter ON Voltage
Current Gain Bandwidth Product
V
V
3
MHz
MJD42C
General Purpose Amplifier
Low Speed Switching Applications
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)
Electrically Similar to Popular TIP42C
1.Base 2.Collector 3.Emitter
D-PAK
I-PAK
1
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD42 General Purpose Amplifier
MJD42CTF General Purpose Amplifier
MJD44H11 NPN Epitaxial Silicon Transistor(General Purpose Power Switching Application)(NPN硅外延晶體管（通用功率開關(guān)作用）)
MJD45H11 Complementary Silicon PNP Transistors(互補硅PNP晶體管)
MJD44H11 Complementary Silicon PNP Transistors(互補硅PNP晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD42C1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD42C-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
MJD42C1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD42CG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD42CRL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*