參數(shù)資料
型號： MJE3440
廠商： 意法半導體
英文描述： SILICON NPN TRANSISTOR
中文描述： 硅NPN晶體管
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： MJE3440
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
8.33
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Collector Cut-off
Current (V
BE
= -1.5V)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
V
CB
= 250 V
20
I
CEV
V
CE
= 300 V
500
μ
A
I
CEO
V
CE
= 200 V
50
μ
A
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
EB
= 5 V
20
μ
A
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 50 mA
I
B
= 4 mA
0.5
V
V
BE(sat)
I
C
= 50 mA
I
B
= 4 mA
0.3
V
V
BE
Base-Emitter Voltage
I
C
= 50 mA
V
CE
= 10 V
0.8
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 2 mA
I
C
= 20 mA
I
C
= 5 mA
f = 1 KHz
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
30
50
200
h
fe
Small Signal Current
Gain
25
f
T
Transistor Frequency
I
C
= 10 mA
f = 5 MHz
V
CB
= 10 V
f = 1 MHz
V
CE
= 10 V
15
MHz
C
CBO
Collector-Base
Capacitance
I
E
= 0
10
pF
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, dutycycle
≤
1.5 %
Safe OperatingArea
DeratingCurve
MJE3440
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