參數(shù)資料
型號: MJE350
廠商: 意法半導體
英文描述: Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
中文描述: Complemetary硅功率晶體管(互補硅功率晶體管)
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代理商: MJE350
DCCurrent Gain (NPN type)
Collector Emitter SaturationVoltage (NPNtype)
DC Current Gain (PNPtype)
Collector EmitterSaturationVoltage(PNP type)
MJE340 / MJE350
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相關PDF資料
PDF描述
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MJE701 NPN (HIGH DC CURRENT GAIN)
MJE700 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MJE350 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-126 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-126
MJE350G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE350STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE370 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS