參數(shù)資料
型號： MJE701
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
中文描述： 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： MJE701
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, February 2001
M
Dimensions in Millimeters
3.25
±
0.20
8.00
±
0.30
3.20
±
0.10
0.75
±
0.10
#1
0.75
±
0.10
2.28TYP
[2.28
±
0.20]
2.28TYP
[2.28
±
0.20]
1.60
±
0.10
1
±
0
3
±
0
1
1
±
0
1
±
0
1.75
±
0.20
(0.50)
(1.00)
0.50
+0.10
–0.05
TO-126
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE801 Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
MK32VT1664A-8YC 16777216 Word x 64 Bit Synchronous Dynamic RAM Module (1BANK)(16M字×64位同步動態(tài)RAM模塊)
MK45T12B-12 CMOS 2K x 8 TIMEKEEPER SRAM
MK45T12B-15 CMOS 2K x 8 TIMEKEEPER SRAM
MK45T12B-20 CMOS 2K x 8 TIMEKEEPER SRAM
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參數(shù)描述
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MJE702G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 4A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJE702STU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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