參數(shù)資料
型號： MM912H634CV1AE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 254/349頁
文件大小： 0K
描述： IC 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE
標準包裝： 250
應(yīng)用： 自動
核心處理器： HCS12
程序存儲器類型： 閃存（64 kB）
控制器系列： HCS12
RAM 容量： 6K x 8
接口： LIN
電源電壓： 5.5 V ~ 27 V
工作溫度： -40°C ~ 105°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 48-LQFP 裸露焊盤
包裝： 管件
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 48-LQFP 裸露焊盤（7x7）
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MM912_634 Advance Information, Rev. 10.0
Freescale Semiconductor
327
5.40.4.5.15
Program D-Flash Command
The Program D-Flash operation programs one to four previously erased words in the D-Flash block. The Program D-Flash
operation will confirm that the targeted location(s) were successfully programmed upon completion.
CAUTION
A Flash word must be in the erased state before being programmed. Cumulative
programming of bits within a Flash word is not allowed.
Upon clearing CCIF to launch the Program D-Flash command, the user-supplied words will be transferred to the Memory
Controller and be programmed if the area is unprotected. The CCOBIX index value at Program D-Flash command launch
determines how many words will be programmed in the D-Flash block. The CCIF flag is set when the operation has completed.
Table 489. Erase Verify D-Flash Section Command Error Handling
Register
Error Bit
Error Condition
FSTAT
ACCERR
Set if CCOBIX[2:0] != 010 at command launch
Set if command not available in current mode (see Table 456)
Set if an invalid global address [17:0] is supplied
Set if a misaligned word address is supplied (global address [0] != 0)
Set if the requested section breaches the end of the D-Flash block
FPVIOL
None
MGSTAT1
Set if any errors have been encountered during the read
MGSTAT0
Set if any non-correctable errors have been encountered during the read
Table 490. Program D-Flash Command FCCOB Requirements
CCOBIX[2:0]
FCCOB Parameters
000
0x11
Global address [17:16] to identify
the D-Flash block
001
Global address [15:0] of word to be programmed
010
Word 0 program value
011
Word 1 program value, if desired
100
Word 2 program value, if desired
101
Word 3 program value, if desired
Table 491. Program D-Flash Command Error Handling
Register
Error Bit
Error Condition
FSTAT
ACCERR
Set if CCOBIX[2:0] < 010 at command launch
Set if CCOBIX[2:0] > 101 at command launch
Set if command not available in current mode (see Table 456)
Set if an invalid global address [17:0] is supplied
Set if a misaligned word address is supplied (global address [0] != 0)
Set if the requested group of words breaches the end of the D-Flash block
FPVIOL
Set if the selected area of the D-Flash memory is protected
MGSTAT1
Set if any errors have been encountered during the verify operation
MGSTAT0
Set if any non-correctable errors have been encountered during the verify operation
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PDF描述
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MM912H634DM1AE 功能描述:16位微控制器 - MCU 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MM912H634DM1AER2 功能描述:16位微控制器 - MCU 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MM912H634DV1AE 功能描述:16位微控制器 - MCU 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MM912H634DV1AER2 功能描述:16位微控制器 - MCU 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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