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參數(shù)資料
| 型號： | MMBD4448HTM-13 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 0.25 A, 80 V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | MMBD4448HTM-13 |
DS30302 Rev. 3 - 2
2 of 2
MMBD4448HTM
www.diodes.com
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
10
100
1000
1
0.1
0
1.6
1.2
0.4
0.8
I,
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
US
F
O
R
W
ARD
C
URRENT
(mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
F
Fig. 1 Typical Forward Characteristics
T = 125C
A
T = -40C
A
T = 75C
A
T = 25C
A
T = 0C
A
Device
Packaging
Shipping
MMBD4448HTM-7
SOT-26
3000/Tape & Reel
Ordering Information (Note 4)
Notes:
4. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
5. For Lead Free/RoHS Compliant version part number, please add "-F" suffix to the part number above. Example: MMBD4448HTM-7-F.
Month
Jan
Feb
March
Apr
May
Jun
Jul
Aug
Sep
Oct
Nov
Dec
Code
12
3
4
5
6
7
89
O
N
D
Date Code Key
KAD = Product Type Marking Code
YM = Date Code Marking
Y = Year ex: N = 2002
M = Month ex: 9 = September
KAD
YM
Marking Information
Year
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
Code
NP
R
S
T
U
VW
0.1
1
10
100
1000
10000
0
20
40
60
80
100
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig. 2 Typical Reverse Characteristics
I
,
INST
ANT
A
NE
O
US
REVERSE
CURRENT
(nA)
R
T = -40C
A
T = 25C
A
T = 75C
A
T = 125C
A
T = 0C
A
0
0.5
1
2.5
2
1.5
3
010
20
40
30
50
C
,
T
O
T
A
L
C
AP
ACIT
ANCE
(pF)
T
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig.3 Typical Capacitance vs. Reverse Voltage
f = 1MHz
0
50
100
150
0
25
50
75
100
125
150
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
d
T , AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
A
Fig. 4 Power Derating Curve
200
250
300
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD6100-TP | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD7000-13 | 0.3 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBR911LT1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222ALT1 | |
| MMBT2222LT1 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBD4448HTM-7 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 225MW 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD4448HTM-7-F | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 80V 225mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD4448HTS | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| MMBD4448HTS-7 | 功能描述:整流器 80V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MMBD4448HTS-7-F | 功能描述:整流器 80V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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