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參數(shù)資料
| 型號： | MMBF0201NLT3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/34頁 |
| 文件大小： | 353K |
| 代理商： | MMBF0201NLT3 |
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MMBF0201NLT1
3–54
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
ON–RESIST
ANCE
(OHMS)
01
234
6
0
0.6
0.8
1.0
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Transfer Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.4
0
0.6
0.8
1.0
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. On–Region Characteristics
0
0.2
0.4
1
0
0.3
0.9
1.2
1.5
0
5
10
20
0
1.0
1.5
2.0
2.4
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
0
10
12
14
16
–25
25
100
150
0.60
1.10
Qg, TOTAL GATE CHARGE (pC)
Figure 5. Gate Charge
TEMPERATURE (
°C)
Figure 6. Threshold Voltage Variance
Over Temperature
5
0.4
0.6
0.8
15
0
160
450
2000
0.2
125
°C
25
°C
–55
°C
0.2
VGS = 5 V
VGS = 4 V
VGS = 3 V
VGS = 4.5 V
VGS = 10 V
0.5
V
GS
,GA
TE–T
O–SOURCE
VOL
TAGE
(VOL
TS)
2
4
6
8
3400
VDS = 16 V
ID = 300 mA
V
GS(th)
,NORMALIZED
ID = 250 A
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0.65
0
50
75
125
VGS = 10, 9, 8, 7, 6 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF0202PLT3 | 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| MMBF170D87Z | 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| MMBF2201NT3 | 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMBF2202PT3 | 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMBF5484LT3 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBF0202PLT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts |
| MMBF102 | 功能描述:射頻JFET晶體管 N-CHANNEL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| MMBF102LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MMBF1374T1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MMBF170 | 功能描述:MOSFET N-Ch Enhance RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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