型號(hào): | MMBF0202PLT3 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
封裝: | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 13/34頁(yè) |
文件大?。?/td> | 356K |
代理商: | MMBF0202PLT3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBF170D87Z | 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
MMBF2201NT3 | 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
MMBF2202PT3 | 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
MMBF5484LT3 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
MMBF5486LT1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBF102 | 功能描述:射頻JFET晶體管 N-CHANNEL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
MMBF102LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
MMBF1374T1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
MMBF170 | 功能描述:MOSFET N-Ch Enhance RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
MMBF170 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |