參數(shù)資料
型號： MMBT4403
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： Small Signal Transistors(PNP)(小信號晶體管（PNP）)
中文描述： 小信號晶體管（民進(jìn)黨）（小信號晶體管（民進(jìn)黨））
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 116K
代理商： MMBT4403
MMBT4403
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25C ambient temperature unless otherwise specified
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
Voltage Feedback Ratio
at DV
CE
= 10 V, DI
C
= 1 mA, f = 1 kHz
h
re
0.1 á 10
D4
8 á 10
D4
D
Small Signal Current Gain
at DV
CE
= 10 V, DI
C
= 1 mA, f = 1 kHz
h
fe
60
500
D
Output Admittance
at DV
CE
= 1 V, DI
C
= 1 mA, f = 1 kHz
h
oe
1.0
100
m
S
Delay Time
at DI
B1
= 15 mA, DI
C
= 150 mA, DV
CC
= 30 V, DV
EB
= 2 V
t
d
D
15
ns
Rise Time
at DI
B1
= 15 mA, DI
C
= 150 mA, DV
CC
= 30 V, DV
EB
= 2 V
t
r
D
20
ns
Storage Time
at I
B1
= DI
B2
= 15 mA, DI
C
= 150 mA, DV
CC
= 30 V
t
s
D
225
ns
Fall Time
at I
B1
= DI
B2
= 15 mA, DI
C
= 150 mA, DV
CC
= 30 V
t
f
D
30
ns
200
W
+30V
-4 V
< 2 ns
0
C * < 10 pF
C *
200
W
1.0 to 100
m
s, DUTY CYCLE
2%
1.0 to 100
m
s, DUTY CYCLE
2%
+30V
+16 V
-2 V
1k
W
1k
W
Scope rise time < 4ns
*Total shunt capacitance of test jig,
connectors and oscilloscope
< 20 ns
0
+16 V
-14 V
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUIT
FIGURE 1 - TURN-ON TIME
FIGURE 2 - TURN-OFF TIME
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